空位对
空位对是在金属氧化物或非金属氧化物中，如果在特定外界环境下（比如高温），会造成晶格中的氧脱离，导致氧缺失，形成的一种氧空位有序结构。形成氧空位时，空位往往是在氧化物链上形成，有序结构的周期则取决于氧含量。在金属氧化物中，氧空位是缺陷的一种。
相关概念
空位的概念是固体结构化学或材料学中的，指的是晶格格位无应有原子之结构；空穴的概念是固体及半导体物理中的，指的是一电子相对应的带正电荷的载流子。在一定的外界处理条件下，导致晶体中氧缺失，形成氧空位。由于在氧化物中相对于氧，其他元素的电负性一般小于氧，所以当失去氧时，相当于取走一个氧原子加上两个带正电的电子-空穴。如果这两个电子-空穴被束缚在氧空位上，说明氧空位一般带正电。另外也可以这样认为，当O失去形成空位时，留下两个电子，如果这两个电子是自由的，不在原来氧的位置，则该位置在相应的结构环境中，将显示正电性；如果所形成的空位在该环境中能吸引自由电子且能束缚电子，但是考虑到两个电子在一起是相互排斥的，所以这个空位只能束缚一个电子，总的结果仍旧是氧空位束缚一个单位的负电荷，显示正电性。
结构形式
二氧化锆存在三种稳定的结构形式：单斜晶系相、立方相和四方相。纯氧化锆的单斜相到1170℃是稳定的，超过这一温度转变成四方相，然后在2370℃转变成立方相，直到2680℃时发生熔化。立方结构的氧化锆，每一个锆离子与8个等距离的氧离子配位，形成锆O结构；四方结构中，也是Zr-O配位，只是锆氧距离不同；单斜结构则不相同，其锆氧为Zr-O配位；因此，纯氧化锆由四方到单斜的相转变过程中，必然经过配位的转变。室温下，纯二氧化锆只能以单斜形式存在。