张耀辉
张耀辉,男,中国科学院苏州纳米所研究员。主要从事超大规模集成电路设计,低功耗嵌入式系统等方面的研究。
人物经历
张耀辉1989年毕业于南京大学物理学院,
1995年在中科院半导体研究所获博士学位。
1995至1996年为德国Paul-Drude固体电子研究所博士后。
1996年1998年任新加坡国立微电子研究所研究员。
1998年至2001年任新加坡国立微电子研究所高级研究工程师。
1999年至2001年,任摩托罗拉数字基因实验室(中国)部门经理和首席工程师。
2001年至2003年为加州大学洛杉矶分校访问学者。
2003年至今,北京大学微电子学研究所兼职教授。
2006年6月通过中科院百人计划资格评审,现为我所研究员,博士生导师。
主要成就
1998年发明两端固态自发混沌振荡器用作保密通讯。
1999年至2001年发明了纳米尺度的沟槽肖脱基MOS场效应晶体管。
2001年至2002年提出和设计了高介电常数闪烁存储器单元器件结构,能使闪烁存储器单元的读写电压减小到10伏,读写时间减小到10微秒以下,并且能使闪烁存储器能采用50纳米以下的CMOS技术制造,让1000G的闪烁存储器可以大规模制造.
2002年提出和设计了高介电常数闪烁存储器单元器件结构。
2004年理论和实验证明了纳米尺度的MOS场效应晶体管在积累区能自动具有单电子晶体管特性。
2005年研制出我国第一支无线通讯基站用的高频大功率RF LDMOS器件,该产品拥有自主知识产权。