胡作启

胡作启，先后毕业于华中科技大学、华中理工大学。博士。现在是华中科技大学（武汉）副教授、教授、博士生导师。

教育背景

1985年7月，华中工学院（武汉）固体电子学系磁性物理及器件专业毕业，获工学学士；

1990年6月，华中理工大学（武汉）固体电子学系电子材料与元器件专业毕业，获工学硕士学位；

1996年6月，华中理工大学（武汉）固体电子学系电子材料与元器件专业毕业，获工学博士学位。

工作经历

1985年7月―1987年9月，中国磁记录设备公司（杭州市），助理工程师；

1990年7月―1992年9月，湖北省电子总公司（武汉），工程师；

1996年6月―1999年7月，华中科技大学（武汉），讲师、副教授；

1999年7月―2000年7月，日本大学（Nihon University，日本）理工学部电子情报工学科，客座研究员；

2000年8月―2003年8月，新加坡制造工艺研究院（Singapore Institute of Manufacturing Technology，新加坡），研究员；

2003年9月―至今，华中科技大学（武汉），副教授、教授、博士生导师。

个人成就

胡作启，在国内、外从事光存储技术、超硬保护薄膜以及电子材料的制备、表征等研究工作20余年。

曾获得10余项国家、部委“八五”、“九五”攻关、国防预先研究、武汉市青年科技晨光计划等研究计划的资助，并于1998年1月获国家教育委员会科技进步二等奖1项、1998年6月获国家科技进步三等奖1项。

曾承担日本经济产业省（Ministry of Economy, Trade and Industry, METI）的纳米高密度光盘研究和新加坡国家科技研究局（Agency of Science Technology and Research, A-star）的超硬保护薄膜、TFT液晶显示器等方面的研究计划近10项。

2003年回国后，继续从事自旋电子学、微波材料与器件、信号处理技术和信息存储技术等方面的研究工作，并获湖北省自然科学基金、国防科工委、航天科技集团公司、总装备部等国家、部委研究计划资助，在研项目9项。

共发表论文40余篇，其中SCI、EI收录20余篇。

参考资料

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